东京--(美国商业资讯)--东芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）今天宣布为需要快速数据处理的数字设备推出低电容SPDT（单刀双掷）总线X”。批量生产定于今年11月开始。

  数字设备需要用高速总线开关集成电路来处理日益提高的数据量。“TC7SB3157DL6X”可降低开关接线端子电容，以减少信号升降两端的迟钝，让它们能够应用于高速双向通信和数据交换。该产品采用小尺寸通用背电极型封装MP6B，能应用于移动数字设备等需要高密度安装的应用。

  小型移动电子设备，包括手机、平板电脑、便携式音频播放器、数字照相机和数字摄像机。

  据媒体报道，东芝公司CEO岛田太郎近日表示，他并不介意因卖掉东芝而被人铭记，只要有任何交易“让公司变得伟大”。 岛田太郎于今年3月出任东芝CEO。东芝已宣布将于2023财年下半年剥离其电子设备和存储业务。剥离后，岛田太郎将领导运营东芝能源和基础设施业务的公司。 当被问及希望人们如何记住他时，岛田太郎表明了自己并不介意人们记住他是出售东芝的人。他会尽一切所能让公司变得伟大。 他还表示，尚未就私有化做出任何决定，保持上市仍是一种可能。 此前，东芝在决定其未来的过程中收到了8份私有化提案以及2份资本和商业联盟提案。再后来，该公司提出拆分计划，但该计划最终遭到否决。 据了解，东芝创立于1875年7月，是日本

  伟大 /

  据国外新闻媒体报道，消息的人偷偷表示，由美国私募股权投资公司贝恩资本(Bain Capital)和日本投资者领导的一个财团，已经提出以2.1万亿日元(约合190亿美元)收购 东芝 芯片业务的要约，在这场激烈的竞购战中成为领先的竞购方。下面就随网络通信小编共同来了解一下相关联的内容吧。 贝恩资本等欲以190亿美元收购东芝半导体业务 消息人士称，贝恩资本获得了具有日本政府背景的日本创新网络公司(INCJ)和日本开发银行的支持，这被认为该收购获得日本政府批准的必要条件。贝恩资本还在同KKR & Co.进行谈判以达到联合，后者此前是该收购中保持领先的竞购方。 此外，现在其他的具有竞争力的竞购方是美国芯片制造商博通(Broadco

  东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出五组全新的微控制器---M4K、M4M、M4G、M4N和M3H，且均属于TXZ+™族。其中M4K、M4M、M4G和M4N组基于Arm® Cortex®-M4内核；M3H组基于Arm®Cortex®-M3内核。全组均可实现低功耗，适合多种类型的应用，如电机控制、互联物联网设备、先进传感功能等。 工程样片将从2020财年第四季度开始提供（2021年1月到3月），量产将从2021财年第二季度开始（2021年7月到9月）。此外，还将同时提供相关文档、开发工具和示例软件。 高级微控制器的最高工作频率达200MHz，闪存存储容量最大为

  TXZ+™族高级微控制器问市，大容量闪存+更低功耗 /

  台积电证实，它决定不参与对东芝闪存芯片业务的竞购。台积电认为，标准内存芯片领域的业务模式，不同于逻辑芯片领域。台积电称，促使它不参与对东芝闪存芯片业务竞购的其他原因是，两者之间不存在协同效应。台积电一直在开发自己的 嵌入式 内存技术平台，但它对DRAM和NAND闪存等标准内存类型芯片没有兴趣。下面就随半导体小编共同来了解一下相关联的内容吧。 台积电决定不参与对东芝闪存芯片业务的竞购 台积电 在回应是否考虑在美国建立先进的3纳米工艺芯片制造工厂时，台积电表示它将继续考虑各种选项。台积电联合首席执行官魏哲家在4月13日的投资者会议上说，“鉴于多种因素，在美国建立芯片厂并非是最理想的，虽然对我们来说这是一个可优先考虑的选项。” 以上是

  日本家电巨头业绩开始分化 在经历整体下滑之后，日本几大家电巨头业绩慢慢的出现分化。近日，松下、索尼、东芝以及夏普四大日本家电巨头均公布了最新一个财季的业绩。从数据上看，在经过一年多的转型整合，松下2015财年的净利润增长8%，而索尼公司2015财年扭亏为盈。但业绩不佳的夏普与东芝则不得不接着来进行公司转型，其中夏普选择与鸿海集团合作，宣布将控股股权出售给鸿海集团，而美的则接收了东芝公司的白色家电业务。业内表示，日本家电企业近年出现分化，而中国家电企业在竞争中脱颖而出，获得更大话语权。 松下索尼业绩上升 东芝夏普巨额亏损 数据显示，松下2015财年的销售额微降2%，达75537亿日元；但从利润上

  1配置负载自动切换开关的必要性 当今的市场经济和社会活动对信息网络(互联网、电信网、工业自动化控制网、政府的电子政务网站等)的依赖程度是如此之高，那怕是仅几分钟的“网络瘫痪”就可能会给公司，企业及行政管理机构的销售，经营管理、社会生活的正常运行、声誉、及公众形象带来难以估量的损失。鉴于公众对“信息网络”的正常运营服务所期望的高度“时效性”，为此要求负责向它供电的UPS供电系统一定要有提供100%”高可利用率”的供电能力。目前，常采用的技术措施之一是：在各种重要的信息网络机房中、配置“N+1”型UPS冗余并机系统, 从而为确保各种网络设备能安全、可靠地处理/传输/存储数据和各种信息资料创造出优良的电源运行环境。多年来的运行实践

  东芝公司今天宣布将推出采用DIP8封装的IC耦合器，可直接驱动中等容量的IGBT或功率MOSFET。新产品TLP250H的最大传输延迟时间为500ns，光电耦合器间的传输延迟偏差为150ns，这样的性能可减少逆变电路的死区时间(dead time)，提高效率。新产品使用了寿命超长的新LED，可支持-40°C至125°C的工作时候的温度。此外，该耦合器可将最低工作电压降至10V(东芝此前型号的最低工作电压只可降至15V)，进而有助于降低功耗。该耦合器可应用于一系列产品中，包括高温环境中使用的工业设施，家用太阳能光伏发电系统，数码产品以及测量与控制仪器。该产品的样品现已推出，并计划于2月份投入量产。 应用 IGBT/功率MOSFET门

  东芝公司为逆变器和储能系统开发了2200 V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），以帮助逆变器制造商减小其产品的尺寸及重量。 图片：Toshiba 日本电子制造商东芝公司推出了一种基于碳化硅（SiC）的新型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要使用在于太阳能逆变器和电池存储系统。 该公司表示，新的MOSFET可能有助于逆变器制造商减小其产品的尺寸及重量。 该公司还提到：“高频运行能够大大减少其他系统组件的体积和重量，如散热器和过滤器等。” 新产品包含一个2200 V肖特基势垒二极管（SBD），主要使用在于1500 V（直流电）两电平逆变器。据制造商介绍，两电平设备相比三电平逆变器，具有更少的开关模块，

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