1、因为电荷存储效应，晶体管BE之间有一接电容，与Rb构成RC电路，时刻常数较大影响了晶体管的导通和到速度(即开关速度)。

  (2)操控脉冲高电平到来时，因为电容电压不能骤变，电容需持续坚持零，这样，晶体管基极B电压骤变到高电平，使晶体管敏捷导通;电容被充电到脉冲电平电压;进入到稳态，电容电压为脉冲电平电压。

  (3)尔后，当操控脉冲低电平到来时，因为电容电压不能骤变，需持续坚持脉冲电平电压，因而，基极电压从零(实践为be压降)跳变到负的脉冲电平电压，时得晶体管敏捷从饱满状况转到到状况;尔后，电容经过R放电，到达稳态时，两头电压为零。

  图3-69所示是脉冲扩大器(一种扩大脉冲信号的扩大器)中的加快电容电路。

  电路中的VT1是三极管，是脉冲扩大管，Cl并联在Rl上，Cl是加快电容。Cl的效果是加快VT1导通和截止的转化速度，所以称为加快电容。

  电路中的三极管VT1作业在开关状况下(相当于一个开关)，Ui为加到三极管VT1基极的输入信号电压，是一个矩形脉冲信号。当U为高电平时，三极管VT1饱满导通;当Ui为低电平时，三极管VT1截止。

  加快电容Cl与三极管VT1输入电阻Ri构成如图3-70(a)所示的等效电路。

  (1)加快导经进程。当输入信号电压Ui从OV跳变到高电平时，因为电容Cl两头的电压不能骤变，加到VT1基极的电压为一个尖顶脉冲，其电压幅值最大，如图3-70(b)所示。这一尖顶脉冲加到VT1基极，使VT1基极电流敏捷从OA增大到很大，这样VT1敏捷从截止状况进入饱满状况，加快了VT1的饱满导通，即缩短了VT1饱满导通时刻(三极管从截止进入饱满所需求的时刻)。

  (2)保持导经进程。在t0之后，对Cl的充电很快完毕，这时输入信号电压Ui加到VT1基极的电压比较小，保持VT1的饱满导通状况。

  (3)加快截止进程;当输入信号电压U从高电平忽然跳变到OV时，如图3-70(b)所示的tl时刻，因为Cl上原先充到的电压极性为左正右负，加到VT1基极的电压为负尖顶脉冲。因为加到VT1基极的电压为负，加快了VT1从基区抽出电荷的进程，VT1以更快的速度从饱满转化到截止状况，即缩短了VT1向截止转化的时刻。

  因为接入电容Cl，VT1以更快的速度进入饱满状况，相同也是以更快的速度进入截止状况，可见电容Cl具有加快VT1作业状转化的效果，所以将Cl称为加快电容。

  这种加快电容电路首要出现在电子开关电路(用三极管作为开关的电路)或脉冲扩大器电路中，音频扩大器不必这种电路。